活性金属钎焊(Active Metal Brazing,AMB)陶瓷覆铜基板,与传统的直接覆铜(Direct Bonding Copper, DBC)陶瓷覆铜基板相比,具有更高的可靠性和鲁棒性,其耐高低温冲击失效能力提高10倍以上。因此,AMB陶瓷覆铜板,已成为新一代半导体(SiC、GaN)和新型大功率电力电子器件的首选封装材料,被广泛应用于航天军工、轨道牵引(如高铁等)、输变电网、全电船舶、电动汽车等需要大功率变流控制、且要求高可靠性的领域。
同时,AMB陶瓷覆铜基板,也广泛应用于超高功率LED、半导体激光器、半导体制冷器、射频微波器件等领域。