陶瓷覆铜基板（包括氮化铝、氮化硅、氧化铝，ZTA陶瓷），具有陶瓷的高导热、高电绝缘、高机械强度、低热膨胀系数等特性，又兼具无氧铜的高导电性和优异焊接性能，且能像PCB线路板一样刻蚀出各种图形。活性金属钎焊（Active Metal Brazing，AMB）陶瓷覆铜基板，与传统的直接覆铜（Direct Bonding Copper, DBC）陶瓷覆铜基板相比，具有更高的可靠性和鲁棒性，其耐高低温冲击失效能力提高10倍以上。因此，AMB陶瓷覆铜板，已成为新一代半导体（SiC）和新型大功率电力电子器件的首选封装材料，被广泛应用于航天军工、轨道牵引（如高铁等）、输变电网、全电船舶、电动汽车等需要大功率变流控制、且要求高可靠性的领域。

    同时，AMB陶瓷覆铜基板，也广泛应用于超高功率LED、半导体激光器、半导体制冷器、射频微波器件等领域。